APTM20HM08FG - MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

Référence fabricant
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MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM20HM08FG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM20HM08FG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 208A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 280nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 25V
Puissance - Max : 781W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP6
Package d'appareils du fournisseur : SP6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : APTM , APTM20

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Feuilles de données : APTM20HM08FG.pdf

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