IRLML6302TRPBF - MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

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MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
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Spécifications pour IRLML6302TRPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRLML6302TRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 780mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 4.45V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 97pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 540mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRLM , IRLML63

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