TK040N65Z,S1F - PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK040N65Z,S1F

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK040N65Z,S1F
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 57A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.85mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6250pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK04 , TK040N

Documents pour TK040N65Z,S1F

Feuilles de données : TK040N65Z,S1F.pdf

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