K4A8G165WC-BITD - 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4A8G165WC-BITD
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : K4A8G165WC-BITD
Fabricant : Samsung Semiconductor
La description : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Séries : DDR4
Densité : 8 Gb
Org. : 512M x 16
La vitesse : 2666 Mbps
Tension : 1.2 V
Temp. : -40 ~ 95 °C
Paquet : 96FBGA
État du produit : Mass Production
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour K4A8G165WC-BITD
Feuilles de données : K4A8G165WC-BITD.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 20KV SCREW. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Vitramon | CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805. | ||
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