K4U2E3S4AA-GHCL - 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4U2E3S4AA-GHCL
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : K4U2E3S4AA-GHCL
Fabricant : Samsung Semiconductor
La description : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Séries : DDR3
Densité : 12 Gb
Org. : x32
La vitesse : 4266 Mbps
Tension : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
Temp. : -40 ~ 105 °C
Paquet : 200FBGA
État du produit : Mass Production
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour K4U2E3S4AA-GHCL
Feuilles de données : K4U2E3S4AA-GHCL.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4700PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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