IXFX100N65X2 - MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFX100N65X2
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXFX100N65X2
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFX100N65X2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1040W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PLUS247™-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXFX100N65X2
Feuilles de données : IXFX100N65X2.pdf
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