PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMWD19UN,518
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMWD19UN,518
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMWD19UN,518
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1478pF @ 10V
Puissance - Max : 2.3W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMWD19UN,518
Feuilles de données : PMWD19UN,518.pdf
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