SSM3K318T,LF - MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

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MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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Spécifications pour SSM3K318T,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM3K318T,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Séries : U-MOSIV
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TSM
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM3 , SSM3K3

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