DMG8822UTS-13 - MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

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MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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Spécifications pour DMG8822UTS-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG8822UTS-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 841pF @ 10V
Puissance - Max : 870mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG8 , DMG882

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Feuilles de données : DMG8822UTS-13.pdf

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