SIZ920DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR

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MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
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Spécifications pour SIZ920DT-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIZ920DT-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1260pF @ 15V
Puissance - Max : 39W, 100W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair® (6x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIZ92 , SIZ920D

Documents pour SIZ920DT-T1-GE3

Feuilles de données : SIZ920DT-T1-GE3.pdf

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