IXFA22N60P3 - MOSFET N-CH
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFA22N60P3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
136720 Pieces
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Spécifications pour IXFA22N60P3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFA22N60P3
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH
Séries : HiPerFET™, Polar3™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263AA
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXFA22N60P3
Feuilles de données : IXFA22N60P3.pdf
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