DMJ70H1D3SJ3 - MOSFET N-CH TO251

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH TO251
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMJ70H1D3SJ3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMJ70H1D3SJ3
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH TO251
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 351pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 41W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-251
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMJ7 , DMJ70H

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Feuilles de données : DMJ70H1D3SJ3.pdf

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