CY14B104NA-BA45XET - IC NVSRAM 4M PARALLEL

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IC NVSRAM 4M PARALLEL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CY14B104NA-BA45XET

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CY14B104NA-BA45XET
Fabricant : Cypress Semiconductor Corp
La description : IC NVSRAM 4M PARALLEL
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : NVSRAM
La technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire : 4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 45ns
Temps d'accès : 45ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 48-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 48-FBGA (6x10)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : CY14B1 , CY14B104N

Documents pour CY14B104NA-BA45XET

Feuilles de données : CY14B104NA-BA45XET.pdf

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