ZXMN6A09KQTC - MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Référence fabricant
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Brève description
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
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Spécifications pour ZXMN6A09KQTC

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ZXMN6A09KQTC
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1426pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 10.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : ZXMN , ZXMN6A

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Feuilles de données : ZXMN6A09KQTC.pdf

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