AUIRF7665S2TR - MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
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Brève description
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AUIRF7665S2TR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AUIRF7665S2TR
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
515pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DIRECTFET SB
Paquet / caisse :
DirectFET™ Isometric SB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AUIRF7665S2TR
Feuilles de données :
AUIRF7665S2TR.pdf
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