IXTA08N100D2HV - MOSFET N-CH
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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207820 Pieces
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Spécifications pour IXTA08N100D2HV
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXTA08N100D2HV
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
800mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14.6nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
325pF @ 25V
Caractéristique FET :
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) :
60W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263HV
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXTA08N100D2HV
Feuilles de données :
IXTA08N100D2HV.pdf
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
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CAP CER 3000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 10000PF 100V BP 1825. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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