PHX23NQ11T,127 - MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A

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MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
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Spécifications pour PHX23NQ11T,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PHX23NQ11T,127
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 110V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 41.6W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220F
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PHX2 , PHX23NQ

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Feuilles de données : PHX23NQ11T,127.pdf

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