BSZ086P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSZ086P03NS3EGATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSZ086P03NS3EGATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 57.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4785pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TSDSON-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSZ086P03NS3EGATMA1
Feuilles de données : BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf
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| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4700PF 14KV SCREW. | ||
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