IPD053N06N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Référence fabricant

IPD053N06N3GBTMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD053N06N3GBTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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15728 Pieces

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Spécifications pour IPD053N06N3GBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD053N06N3GBTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 90A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 58µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 115W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD05 , IPD053N0

Documents pour IPD053N06N3GBTMA1

Feuilles de données : IPD053N06N3GBTMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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