BAS21E6433HTMA1 - DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
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Brève description
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BAS21E6433HTMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BAS21E6433HTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Séries : -
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 250mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 200mA
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 200V
Capacité @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BAS21E6433HTMA1
Feuilles de données : BAS21E6433HTMA1.pdf
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