RV2C010UNT2L - MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

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MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
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Spécifications pour RV2C010UNT2L

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RV2C010UNT2L
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 470 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 400mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1006-3 (VML1006)
Paquet / caisse : SC-101, SOT-883
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RV2C , RV2C01

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Feuilles de données : RV2C010UNT2L.pdf

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