SI1035X-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V SC-89

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MOSFET N/P-CH 20V SC-89
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI1035X-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI1035X-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 400mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.75nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 250mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : SC-89-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI10 , SI1035X

Documents pour SI1035X-T1-GE3

Feuilles de données : SI1035X-T1-GE3.pdf

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