GP1M016A060N - MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

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MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
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Spécifications pour GP1M016A060N

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GP1M016A060N
Fabricant : Global Power Technologies Group
La description : MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 470 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3039pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 312W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3PN
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : GP1M , GP1M01

Documents pour GP1M016A060N

Feuilles de données : GP1M016A060N.pdf

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