IRF1010NL - MOSFET N-CH 55V 85A TO-262

Référence fabricant

IRF1010NL

Numéro de pièce interne

AX-IRF1010NL

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 85A TO-262

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF1010NL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF1010NL

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 85A TO-262

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 85A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3210pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-262

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF1

Documents pour IRF1010NL

Feuilles de données : IRF1010NL.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
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