MT53B768M32D4NQ-053 WT:B - IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Référence fabricant

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B

Numéro de pièce interne

AX-MT53B768M32D4NQ-053 WT:B

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour MT53B768M32D4NQ-053 WT:B

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT53B768M32D4NQ-053 WT:B

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Taille mémoire : 24Gb (768M x 32)

Fréquence d'horloge : 1866MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : -

Tension - Alimentation : 1.1V

Température de fonctionnement : -30°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT53B768 , MT53B768M32D

Documents pour MT53B768M32D4NQ-053 WT:B

Feuilles de données : MT53B768M32D4NQ-053 WT:B.pdf

Produits associés pour MT53B768M32D4NQ-053 WT:B Micron Technology Inc.

Numéro d'article	Marque	La description
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BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
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WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
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WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
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