SIDR622DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 150V

Référence fabricant

SIDR622DP-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SIDR622DP-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 150V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

319510 Pieces

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Spécifications pour SIDR622DP-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIDR622DP-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 150V

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1516pF @ 75V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8DC

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIDR6 , SIDR622D

Documents pour SIDR622DP-T1-GE3

Feuilles de données : SIDR622DP-T1-GE3.pdf

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