1N4448,113 - DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-1N4448,113
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N4448,113
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N4448,113
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 25nA @ 20V
Capacité @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial
Package d'appareils du fournisseur : ALF2
Température de fonctionnement - Jonction : 200°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 1N4448,113
Feuilles de données : 1N4448,113.pdf
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