FQD3P50TM-AM002BLT - QF -500V 4.9OHM DPAK
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QF -500V 4.9OHM DPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FQD3P50TM-AM002BLT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FQD3P50TM-AM002BLT
Fabricant : ON Semiconductor
La description : QF -500V 4.9OHM DPAK
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FQD3P50TM-AM002BLT
Feuilles de données : FQD3P50TM-AM002BLT.pdf
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