IRD3CH101DB6 - DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRD3CH101DB6
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRD3CH101DB6
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRD3CH101DB6
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.7V @ 200A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 360ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 3.6µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRD3CH101DB6
Feuilles de données : IRD3CH101DB6.pdf
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