BAS16LT1G - DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

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DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BAS16LT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BAS16LT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 150mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 6ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 100V
Capacité @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BAS , BAS1

Documents pour BAS16LT1G

Feuilles de données : BAS16LT1G.pdf

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