NHPM120T3G - DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NHPM120T3G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
5110455 Pieces
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Spécifications pour NHPM120T3G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NHPM120T3G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-216AA
Package d'appareils du fournisseur : Powermite
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NHPM120T3G
Feuilles de données : NHPM120T3G.pdf
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| Murata Electronics North America | CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 16KV SCREW. | ||
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