LTC4444EMS8E#WPBF - HI V SYNC N-CH MOSFET DRVR
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Brève description
HI V SYNC N-CH MOSFET DRVR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour LTC4444EMS8E#WPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : LTC4444EMS8E#WPBF
Fabricant : Linear Technology/Analog Devices
La description : HI V SYNC N-CH MOSFET DRVR
Séries : Automotive, AEC-Q100
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 7.2V ~ 13.5V
Tension logique - VIL, VIH : 1.85V, 3.25V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 2.5A, 3A
Type d'entrée : Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 114V
Temps de montée / descente (type) : 8ns, 5ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 8-MSOP-EP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour LTC4444EMS8E#WPBF
Feuilles de données : LTC4444EMS8E#WPBF.pdf
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