FCP220N80 - MOSFET N-CH 800V 23A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FCP220N80
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 23A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FCP220N80
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FCP220N80
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 800V 23A
Séries : SuperFET® II
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 278W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FCP220N80
Feuilles de données : FCP220N80.pdf
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