NTP8G206NG - MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTP8G206NG
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
21648 Pieces
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Spécifications pour NTP8G206NG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTP8G206NG
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 480V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
96W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220-3
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTP8G206NG
Feuilles de données :
NTP8G206NG.pdf
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