APTGTQ100DDA65T3G - POWER MODULE - IGBT
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MODULE - IGBT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
15016 Pieces
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Spécifications pour APTGTQ100DDA65T3G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTGTQ100DDA65T3G
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
POWER MODULE - IGBT
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type IGBT :
-
Configuration :
Dual Boost Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
100A
Puissance - Max :
250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
100µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
Contribution :
Standard
Thermistance NTC :
Yes
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
Module
Package d'appareils du fournisseur :
SP3F
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTGTQ100DDA65T3G
Feuilles de données :
APTGTQ100DDA65T3G.pdf
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