IRLU3303PBF - MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

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MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
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Spécifications pour IRLU3303PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRLU3303PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 68W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
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