IPB320N20N3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Référence fabricant

IPB320N20N3GATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPB320N20N3GATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPB320N20N3GATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPB320N20N3GATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 34A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 136W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPB32 , IPB320N2

Documents pour IPB320N20N3GATMA1

Feuilles de données : IPB320N20N3GATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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