PSMN8R5-108ESQ - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

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MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
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Spécifications pour PSMN8R5-108ESQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PSMN8R5-108ESQ
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 108V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5512pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 263W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I2PAK
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PSMN , PSMN8R5

Documents pour PSMN8R5-108ESQ

Feuilles de données : PSMN8R5-108ESQ.pdf

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