TK62N60W,S1VF - MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK62N60W,S1VF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK62N60W,S1VF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 61.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 3.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6500pF @ 300V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 400W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK62 , TK62N6

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Feuilles de données : TK62N60W,S1VF.pdf

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