NGTD17R120F2WP - DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NGTD17R120F2WP
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NGTD17R120F2WP
Fabricant : ON Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : -
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 35A
La vitesse : -
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NGTD17R120F2WP
Feuilles de données : NGTD17R120F2WP.pdf
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