NXPSC08650DJ - DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NXPSC08650DJ
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
26684 Pieces
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Spécifications pour NXPSC08650DJ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NXPSC08650DJ
Fabricant : WeEn Semiconductors
La description : DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 8A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 230µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : DPAK
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NXPSC08650DJ
Feuilles de données : NXPSC08650DJ.pdf
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