DMT6009LSS-13 - MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2

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MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
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Spécifications pour DMT6009LSS-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMT6009LSS-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMT6 , DMT600

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Feuilles de données : DMT6009LSS-13.pdf

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