SIUD403ED-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

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MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806
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Spécifications pour SIUD403ED-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIUD403ED-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806
Séries : TrenchFET® Gen III
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 500mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 31pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 0806
Paquet / caisse : PowerPAK® 0806
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIUD4 , SIUD403E

Documents pour SIUD403ED-T1-GE3

Feuilles de données : SIUD403ED-T1-GE3.pdf

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