EPC2104ENG - GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2104ENG
Fabricant
Brève description
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
28497 Pieces
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Spécifications pour EPC2104ENG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EPC2104ENG
Fabricant :
EPC
La description :
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Séries :
eGaN®
Statut de la pièce :
Discontinued at Digi-Key
Type de FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 5.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 50V
Puissance - Max :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
Die
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EPC2104ENG
Feuilles de données :
EPC2104ENG.pdf
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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