TSM160P04LCRHRLG - MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
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MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TSM160P04LCRHRLG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM160P04LCRHRLG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2712pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 69W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TSM160P04LCRHRLG
Feuilles de données : TSM160P04LCRHRLG.pdf
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