BYV430J-600PQ - DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
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Brève description
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BYV430J-600PQ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BYV430J-600PQ
Fabricant : WeEn Semiconductors
La description : DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 30A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2V @ 30A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 90ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BYV430J-600PQ
Feuilles de données : BYV430J-600PQ.pdf
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