FDS9958-F085 - MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

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MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
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Spécifications pour FDS9958-F085

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDS9958-F085
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Séries : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 30V
Puissance - Max : 900mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDS9 , FDS995

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Feuilles de données : FDS9958-F085.pdf

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