MT49H64M9SJ-25E:B - IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT49H64M9SJ-25E:B
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT49H64M9SJ-25E:B
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : DRAM
Taille mémoire : 576Mb (64M x 9)
Fréquence d'horloge : 400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 15ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 144-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 144-FBGA (18.5x11)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MT49H64M9SJ-25E:B
Feuilles de données : MT49H64M9SJ-25E:B.pdf
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