DMPH1006UPSQ-13 - MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
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Brève description
MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMPH1006UPSQ-13
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMPH1006UPSQ-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
124nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6334pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.2W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PowerDI5060-8
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMPH1006UPSQ-13
Feuilles de données :
DMPH1006UPSQ-13.pdf
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