DMPH1006UPSQ-13 - MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMPH1006UPSQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMPH1006UPSQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6334pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI5060-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMPH1 , DMPH100

Documents pour DMPH1006UPSQ-13

Feuilles de données : DMPH1006UPSQ-13.pdf

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