SQD07N25-350H_GE3 - MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

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MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
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Spécifications pour SQD07N25-350H_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQD07N25-350H_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1205pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 71W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SQD07 , SQD07N25

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